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发明

一种SOI晶圆芯片的分离方法

2023-06-01 07:04:41 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202211322910.2
  • 公开（公告）日：2025-06-10
  • 公开（公告）号：CN115818560A
  • 申请人：广州奥松电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si3N4‑顶部保护层耐腐蚀金属‑底部保护层SiO2”结构，即“Si3N4‑耐刻蚀材料‑SiO2”结构，可显著提高芯片分离良率，且具有通用性，也适用于其它在SOI晶圆上制备的器件，具有较好的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115818560 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202211322910.2 (22)申请日 2022.10.27 (71)申请人 广州奥松电子股份有限公司 地址 510530 广东省广州市黄埔区云骏路 17号自编3栋 (72)发明人 张宾　李若朋　陈新准　庄磊　 朱瑞　陈善任　程元红　 肖钧尹　 钟文兵　 (74)专利代理机构 广州鲁粤专利代理事务所 (普通合伙) 44887 专利代理师 吴满宏 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种SOI晶圆芯片的分离方法 (57)摘要 本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方 法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备 应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保 护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底 硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方 法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si N ‑ 3 4 顶部保护层耐腐蚀金属‑底部保护层SiO ”结构， 2 即“Si N ‑耐刻蚀材料‑SiO ”结构，可显著提高芯 3 4

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