MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及结构

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114455536 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210118996.0 (22)申请日 2022.02.08 (71)申请人 季优科技（上海）有限公司 地址 201800 上海市嘉定区菊园新区环城 路2222号1幢J246室 (72)发明人 徐大朋　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 卢炳琼 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 MEMS气体传感器的晶圆级三维封装方法及 结构 (57)摘要 本发明提供一种MEMS气体传感器的晶圆级 三维封装方法及结构。方法包括步骤：提供半导 体基底，内形成有ASIC芯片及多个间隔设置的硅 通孔；对半导体基底进行背面减薄；对半导体基 底的背面进行刻蚀，以使硅通孔的表面突出于半 导体基底的背面；于半导体基底的背面形成绝缘 层；对半导体基底背面进行化学机械抛光，露出 硅通孔；进行光刻和干法刻蚀，以于半导体基底 的背面形成空腔；将形成有MEMS器件的MEMS微加 热板和预键合结构进行共晶键合，MEMS器件正对 空腔，硅通孔和MEMS微加热板的焊垫键合，绝缘 A 层和MEMS微加热板的绝缘表面键合；于ASIC芯片 6 正面硅通孔的表