一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116040577 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310039782.9 (22)申请日 2023.01.11 (71)申请人 重庆大学 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 (72)发明人 杨庆　柯锟　廖伟　邱震辉　 (74)专利代理机构 北京君泊知识产权代理有限 公司 11496 专利代理师 周倩 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) H10N 30/30 (2023.01) H10N 30/85 (2023.01) G01R 33/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图7页 (54)发明名称 一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺 方法 (57)摘要 本发明实施例公开了一种制备压电驱动 MEMS电场传感器的工艺方法，对SOI片双面热氧 化；在SOI片正面的绝缘层上制备粘接层和下驱 动电极层；在下驱动电极层上制备压电材料层； 在压电材料层上制备上驱动电极层，并剥离上驱 动电极层；刻蚀压电材料层；刻蚀下驱动电极层 和粘接层；刻蚀SOI片正面的绝缘层；在SOI片正 面的顶硅层上制备感应电极焊盘；刻蚀SOI片正 面的顶硅层 ；在SOI片正面旋涂保护材料 ；去除 SOI片背面的绝缘层，并刻蚀SOI片的底硅层和埋 氧层；去除SOI片正面的保护材料，得到MEMS电场