基于MEMS工艺的光纤式台阶型激光飞片换能元制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114890377 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210437303.4 (22)申请日 2022.04.21 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫街200号 (72)发明人 袁浩方　吴立志　支天金　谢天宇　 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 专利代理师 赵毅 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) F42C 13/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 基于MEMS工艺的光纤式台阶型激光飞片换 能元制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤式 台阶型激光飞片换能元制备方法，包括如下步 骤：首先将光纤端面预处理，包括抛光、清洗、烘 干；再将光纤放入设计好的模具中，对光纤端面 依次经过一次光刻(涂胶、曝光、显影)，磁控溅 射、去胶，制备出烧蚀层和隔热层；然后在一次光 刻的薄膜上依次经过二次光刻、磁控溅射、去胶， 制备出飞片层，获得光纤式台阶型激光飞片换能 元。利用MEMS工艺制备的台阶型激光飞片换能元 优势是将飞片薄膜直接镀在光纤端面，重复性 好，成本低，且由于减少光纤输出端激光的发散， A 提高了光纤末端换能元的能量耦合效率。由于换 7 能元台阶型，有效降低等离子体因飞片剪切造成 7 3 0 的能量浪费，有利于降低光纤式激光飞片换能元 9 8 4 的