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发明

可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺2025

2023-09-24 08:25:48 发布于四川 6
  • 申请专利号：CN202310614318.8
  • 公开（公告）日：2025-08-26
  • 公开（公告）号：CN116789073A
  • 申请人：杭州凯维力传感科技有限公司
摘要：本发明公开了一种可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制备工艺。本发明包括MEMS器件层以及键合于MEMS器件层下方的衬底；所述MEMS器件层包括凸台、锚点、锚区、中心板、四根位于中心板四周的L型压电驱动梁和十二个pad；所述衬底包括键合区域、空腔、导电衬垫和八个固定金属电极。本发明为敏感元件增加驱动模块与多电容检测模块，从而保证测量结果的准确性并节省额外的校准成本，本发明在实现自校准的同时，采用三维集成的方式，直接利用SOI的圆片做外部封装。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116789073 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310614318.8 B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2023.05.29 G01L 5/165 (2020.01) (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2 号大街 (72)发明人 董林玺　胡梦宜　俞挺　刘超然　 杨伟煌　 (74)专利代理机构 杭州奥创知识产权代理有限 公司 33272 专利代理师 王佳健 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 5/00 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 可自校准的SOI基MEMS三维力传感器及其制 备工艺 (57)摘要 本发明公开了一种可自校准的SOI基MEMS三 维力传感器及其制备工艺。本发明包括MEMS器件 层以及键合于MEMS器件层下方的衬底；所述MEMS 器件层包括凸台、锚点、锚区

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