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PCT发明

高频CMOS超声换能器

2023-05-15 11:18:44 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080081611.7
  • 公开（公告）日：2025-08-26
  • 公开（公告）号：CN114728782A
  • 申请人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：在所描述的CMOS IC的示例中，具有端子的超声换能器(1200)形成在IC的衬底(1230)上。具有超声信号端子的CMOS电路系统(1236)形成在衬底上。至少一个金属互连层(1238)覆盖超声换能器和CMOS电路系统。至少一个金属互连层将CMOS电路系统超声信号端子连接到超声换能器的端子。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114728782 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080081611.7 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 (22)申请日 2020.10.01 专利代理师 袁策 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/590,354 2019.10.01 US B81C 1/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.05.24 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2020/053771 2020.10.01 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/067581 EN 2021.04.08 (71)申请人 德克萨斯仪器股份有限公司 地址 美国德克萨斯州 (72)发明人 B ·巴赫　B ·S ·库克　 S ·R ·萨默费尔特　 权利要求书2页 说明书10页 附图15页 (54)发明名称 高频CMOS超声换能器 (57)摘要 在所描

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