一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传感器制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116768146 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310727356.4 (22)申请日 2023.06.19 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 刘瑛　刘冠军　邱静　吕克洪　 杨鹏　张勇　郭斯琳　 (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 陈俊好 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种悬空异质薄膜的图形化方法及压力传 感器制备方法 (57)摘要 本发明公开一种悬空异质薄膜的图形化方 法及压力传感器制备方法，该方法的所有步骤与 当前CMOS工艺完全兼容，在无需额外定制设备的 基础上，可实现悬空二维材料结构的大规模流片 制备以及成本削减 ；在方法实施过程中 ，二维材 料全程被高分子支撑材料支撑和保护，有效避免 实施过程中二维材料的破损。 A 6 4 1 8 6 7 6 1 1 N C CN 116768146 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种悬空异质薄膜的图形化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：取合适尺寸生长有单层或少层二维材料的基