半导体器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267788 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111079272.1 (22)申请日 2021.09.15 (30)优先权数据 10-2020-0119384 2020.09.16 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 郑圭镐　朴瑛琳　安敞茂　宋鸿善　 辛瑜曔　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 王新华 (51)Int.Cl. H01L 49/02 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01) 权利要求书3页 说明书12页 附图24页 (54)发明名称 半导体器件 (57)摘要 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以 包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质 层和顶电极。底电极包括：与电介质层接触的第 一掺杂区；主区，通过第一掺杂区而与电介质层 间隔开，该第一掺杂区介于主区和电介质层之 间；以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂 区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和 掺杂金属。在一些实施方式中，第二掺杂区还可 以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺 杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。 A 8 8 7 7 6 2 4 1 1 N C CN 114267788 A 权　利　要　求　书