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发明

半导体存储装置

2023-06-18 07:23:32 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202110731959.2
  • 公开（公告）日：2022-04-01
  • 公开（公告）号：CN114267679A
  • 申请人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供一种适当地进行动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第一导电层，在第一方向上延伸；第二导电层，在与第一方向交叉的第二方向上与第一导电层分离地配置，并在第一方向上延伸；多个半导体层，设于第一导电层与第二导电层之间，在第一方向上排列，具备与第一导电层对置的第一部分和与第二导电层对置的第二部分；多个第一存储器单元，分别设于第一导电层与多个半导体层之间；以及多个第二存储器单元，分别设于第二导电层与多个半导体层之间。在第一方向上相邻的两个半导体层之间设有空隙。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267679 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110731959.2 H01L 27/11548 (2017.01) H01L 27/11556 (2017.01) (22)申请日 2021.06.30 H01L 27/11565 (2017.01) (30)优先权数据 H01L 27/1157 (2017.01) 2020-155786 2020.09.16 JP H01L 27/11575 (2017.01) 17/190939 2021.03.03 US H01L 27/11582 (2017.01) (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京 (72)发明人 加藤竜也　永岛贤史　韩业飞　 石川贵之　 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军 (51)Int.Cl. H01L 27/11519 (2017.01) H01L 27/11524 (2017.01)

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