形成存储结构的方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267681 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110789402.4 H01L 27/11597 (2017.01) (22)申请日 2021.07.13 (30)优先权数据 63/136,646 2021.01.13 US 17/241,035 2021.04.26 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 简士轩　林孟汉　吴汉威　杨丰诚　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 王素琴 (51)Int.Cl. H01L 27/11587 (2017.01) H01L 27/1159 (2017.01) 权利要求书2页 说明书19页 附图64页 (54)发明名称 形成存储结构的方法 (57)摘要 一种形成存储结构的方法包括以下步骤。在 半导体衬底之上形成互补金属氧化物半导体电 路系统。形成位线阵列以电连接到互补金属氧化 物半导体电路系统。在位线阵列之上形成存储阵 列。存储阵列通过形成字线堆叠以及形成第一组 堆叠存储单元及第二组堆叠存储单元。在位线阵 列上形成字线堆叠，且所述字线堆叠具有第一侧 表面及第二侧表面。沿着第一侧表面形成第一组 堆叠存储单元。沿着第二侧表面形成第