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发明

形成存储结构的方法

2023-06-18 07:23:32 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202110789402.4
  • 公开（公告）日：2022-04-01
  • 公开（公告）号：CN114267681A
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种形成存储结构的方法包括以下步骤。在半导体衬底之上形成互补金属氧化物半导体电路系统。形成位线阵列以电连接到互补金属氧化物半导体电路系统。在位线阵列之上形成存储阵列。存储阵列通过形成字线堆叠以及形成第一组堆叠存储单元及第二组堆叠存储单元。在位线阵列上形成字线堆叠，且所述字线堆叠具有第一侧表面及第二侧表面。沿着第一侧表面形成第一组堆叠存储单元。沿着第二侧表面形成第二组堆叠存储单元，其中所述第二组堆叠存储单元与所述第一组堆叠存储单元交错。在存储阵列之上形成电连接到互补金属氧化物半导体电路系统的源极线阵列。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267681 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110789402.4 H01L 27/11597 (2017.01) (22)申请日 2021.07.13 (30)优先权数据 63/136,646 2021.01.13 US 17/241,035 2021.04.26 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 简士轩　林孟汉　吴汉威　杨丰诚　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 王素琴 (51)Int.Cl. H01L 27/11587 (2017.01) H01L 27/1159 (2017.01) 权利要求书2页 说明书19页 附图64页 (54)发明名称 形成存储结构的方法 (57)摘要 一种形成存储结构的方法包括以下步骤。在 半导体衬底之上形成互补金属氧化物半导体电 路系统。形成位线阵列以电连接到互补金属氧化 物半导体电路系统。在位线阵列之上形成存储阵 列。存储阵列通过形成字线堆叠以及形成第一组 堆叠存储单元及第二组堆叠存储单元。在位线阵 列上形成字线堆叠，且所述字线堆叠具有第一侧 表面及第二侧表面。沿着第一侧表面形成第一组 堆叠存储单元。沿着第二侧表面形成第

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