调整晶圆的参数的方法、装置、设备及计算机存储介质2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117878004 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410183455.5 (22)申请日 2024.02.19 (71)申请人 上海聚跃检测技术有限公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张东路1388号2幢101 室 (72)发明人 余夕霞　沈玲　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 刘逸卿 (51)Int.Cl. H01L 21/66 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 一种WLCSP封装芯片去球去PI去RDL的方法 (57)摘要 本发明涉及一种WLCSP封装芯片去球去PI去 RDL的方法，所述方法包括以下步骤：(1)采用电 烙铁将芯片上的锡球加热至熔化，然后采用吸焊 带吸除熔化后的锡球，得到去球后的芯片；(2)将 步骤(1)得到的所述去球后的芯片进行碱蚀处 理，然后清洗，得到去除PI胶后的芯片；(3)将步 骤(2)得到的所述去除PI胶后的芯片进行研磨至 RDL层金属与下层金属出现分离，然后剥削去除 RDL层金属，得到处理后的芯片。本发明提供的方 法不仅去球、去PI、去RDL的效果良好，而且能够 解决现有化学溶液腐蚀法导致的下层金属过腐 蚀风险，同时能够提升检测质量和检测效率。 A 4 0 0 8