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发明

存储器件及其制造方法

2023-06-18 07:23:32 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202110795822.3
  • 公开（公告）日：2022-04-01
  • 公开（公告）号：CN114267682A
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明实施例阐述一种包括字线、源极线、位线、存储层、沟道材料层的存储器件。字线在第一方向上延伸，且衬层设置在字线的侧壁上。存储层在衬层之间设置在字线的侧壁上且在第一方向上沿着衬层的侧壁延伸。衬层通过存储层间隔开且衬层夹置在存储层与字线之间。沟道材料层设置在存储层的侧壁上。介电层设置在沟道材料层的侧壁上。源极线及位线设置在介电层的相对的侧处且设置在沟道材料层的侧壁上。源极线及位线在与第一方向垂直的第二方向上延伸。衬层的材料具有比存储层的材料的介电常数低的介电常数。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267682 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110795822.3 H01L 27/1159 (2017.01) H01L 27/11597 (2017.01) (22)申请日 2021.07.14 (30)优先权数据 63/137,754 2021.01.15 US 17/327,752 2021.05.23 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 林孟汉　贾汉中　杨丰诚　杨柏峰　 许诺　杨世海　林佑明　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 王素琴 (51)Int.Cl. H01L 27/11587 (2017.01) 权利要求书2页 说明书17页 附图34页 (54)发明名称 存储器件及其制造方法 (57)摘要 本发明实施例阐述一种包括字线、源极线、 位线、存储层、沟道材料层的存储器件。字线在第 一方向上延伸，且衬层设置在字线的侧壁上。存 储层在衬层之间设置在字线的侧壁上且在第一 方向上沿着衬层的侧壁延伸。衬层通过存储层间 隔开且衬层夹置在存储层与字线之间

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