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PCT发明

电化学装置以及电子设备2025

2024-03-05 07:12:03 发布于四川 8
  • 申请专利号：CN202280049748.3
  • 公开（公告）日：2025-08-08
  • 公开（公告）号：CN117642882A
  • 申请人：宁德新能源科技有限公司
摘要：一种电化学装置以及电子设备，电化学装置包括负极极片，负极极片包括碳纳米管阵列，碳纳米管阵列中设有第一负极活性材料；负极极片还包括集流体，碳纳米管阵列位于集流体上，第一负极活性材料位于碳纳米管之间，第一负极活性材料为含硅材料。通过将含硅材料和碳纳米管的表面相接触，提高了集流体与含硅材料的接触面积，减少电子电阻，保证有效的电子通路，且均匀排布的碳纳米管结构可以加快电化学反应过程中的离子传导速率，避免局部锂离子浓度不均匀导致的析锂问题，提高电池的首次放电效率、倍率和循环性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117642882 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202280049748.3 H01M 10/0525 (2006.01) H01M 4/70 (2006.01) (22)申请日 2022.09.29 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2024.01.16 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2022/122593 2022.09.29 (71)申请人 宁德新能源科技有限公司 地址 352100 福建省宁德市蕉城区漳湾镇 新港路1号 (72)发明人 蔡晓生　张楠　 (74)专利代理机构 北京恒博知识产权代理有限 公司 11528 专利代理师 尤彩霞 (51)Int.Cl. H01M 4/134 (2006.01) 权利要求书2页 说明书16页 附图1页 (54)发明名称 电化学装置以及电子设备 (57)摘要 一种电化学装置以及电子设备，电化学装置 包括负极极片，负极极片包括碳纳米管阵列，碳 纳米管阵列中设有第一负极活性材料；负极极片 还包括集流体，碳纳米管阵列位于集流体上，第 一负极活性材料位于碳纳米管之间，第一负极活 性材料为含硅材料。通过将含硅材料和碳纳米管 的表面相接触，提高了集流体与含硅材料的接触 面积，减少电子电阻，保证有效的电子通路，且均 匀排布

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