一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法
- 申请专利号:CN202310482381.0
- 公开(公告)日:2023-07-21
- 公开(公告)号:CN116462155A
- 申请人:南昌大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116462155 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310482381.0 (22)申请日 2023.04.30 (71)申请人 南昌大学 地址 330031 江西省南昌市红谷滩区学府 大道999号 (72)发明人 万思源 黄汉英 周杨波 余聪 李志雄 刘焕林 吴宇航 (74)专利代理机构 南昌朗科知识产权代理事务 所(普通合伙) 36134 专利代理师 郭毅力 郭显文 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的 方法 (57)摘要 一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的 方法,包括PVA溶液的制备;PVA薄膜的制备;搭建 二维层状材料扭转同质结构及异质结构;转移二 维异质结构到目标衬底上等步骤。本发明具有以 下技术效果:(1)使用的PVA膜的水溶性确保了材 料界面不会引入污染,对样品损害极小;(2)PVA 的高粘性足以将同一片材料一分为二,因此转移 过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始 取向,满足了扭转角同质结构与异质结构等的制 备等需求;(3)为二维层状材料提供了一种灵活 性高、高效简单、无损、低成本的转移方案。 A 5 5 1 2 6 4 6 1 1 N
最新专利
- 一种SOI晶圆芯片的分离方法公开日期:2025-06-10公开号:CN115818560A申请号:CN202211322910.2一种SOI晶圆芯片的分离方法
- 发布时间:2023-06-01 07:04:410
- 申请号:CN202211322910.2
- 公开号:CN115818560A
- 蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法公开日期:2025-06-10公开号:CN116374941A申请号:CN202310356545.5蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法
- 发布时间:2023-07-06 10:32:190
- 申请号:CN202310356545.5
- 公开号:CN116374941A
- 压力传感器、基板结构及其制造方法公开日期:2025-06-10公开号:CN112250029A申请号:CN202011245345.5压力传感器、基板结构及其制造方法
- 发布时间:2023-05-28 12:12:070
- 申请号:CN202011245345.5
- 公开号:CN112250029A
- 具有粒子过滤器的MEMS器件以及制造的方法公开日期:2025-06-06公开号:CN113942974A申请号:CN202111193377.X具有粒子过滤器的MEMS器件以及制造的方法
- 发布时间:2023-04-23 09:18:410
- 申请号:CN202111193377.X
- 公开号:CN113942974A
- 一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法公开日期:2025-06-06公开号:CN114772546A申请号:CN202210389550.1一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法
- 发布时间:2023-05-17 11:41:450
- 申请号:CN202210389550.1
- 公开号:CN114772546A
- 一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法公开日期:2025-05-27公开号:CN114132885A申请号:CN202111307080.1一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法
- 发布时间:2023-04-27 13:06:160
- 申请号:CN202111307080.1
- 公开号:CN114132885A