压力传感器、基板结构及其制造方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112250029 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011245345.5 (22)申请日 2020.11.10 (71)申请人 武汉飞恩微电子有限公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区高 新大道818号医疗器械园B12栋3楼 (72)发明人 王小平　曹万　杨军　洪鹏　 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01L 19/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 压力传感器、基板结构及其制造方法 (57)摘要 本发明提供一种压力传感器、基板结构及其 制造方法，该用于压力传感器的基板结构包括基 板，所述基板贯设有压力孔，所述压力孔包括沿 第一方向布置的直孔和锥孔，所述锥孔自所述直 孔的孔缘延伸形成，且所述锥孔的孔径沿第一方 向呈渐宽设置。 A 9 2 0 0 5 2 2 1 1 N C CN 112250029 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种用于压力传感器的基板结构，其特征在于，包括基板，所述基板贯设有压力孔， 所述压力孔包括沿第一方向布置的直孔和锥孔，所述锥孔自所述直孔的孔缘延伸形成，且 所述锥孔的孔径沿第一方向呈渐宽设置。 2.如权利要求1所述的用于压力传感器的基板结构，其特