发明

一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法

2023-05-17 11:41:45 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202210389550.1
  • 公开(公告)日:2025-06-06
  • 公开(公告)号:CN114772546A
  • 申请人:成都市精鹰光电技术有限责任公司
摘要:本发明公开了一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法,该方法可以用来改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触。首先,该方法通过离子注入技术,将钨与钛作为掺杂元素,注入区域为氧化钒薄膜中与钛电极接触的区域。其次,注入元素选择钨与钛可以有效降低氧化钒接触区域的电阻,获得优异的金半接触,从而降低氧化钒本身的1/f噪声,有助于获得低噪声器件;此外通过掺杂钨元素还可以提高氧化钒薄膜TCR,提升器件信噪比。第三,离子注入后的热处理方式为脉冲电流快速退火,可以实现晶格修复,同时快速退火可以避免升温过程中的失氧,从而减小氧空位,使氧化钒电阻不会降低太多。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114772546 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210389550.1 (22)申请日 2022.04.13 (71)申请人 成都市精鹰光电技术有限责任公司 地址 610200 四川省成都市双流区黄甲街 道物流大道666号(自主申报) (72)发明人 黄梅 袁秋雁 毛敏  (74)专利代理机构 成都华复知识产权代理有限 公司 51298 专利代理师 李俊 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G01J 5/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极 接触的方法 (57)摘要 本发明公开了一种改善微测辐射热计中氧 化钒与钛电极接触的方法,该方法可以用来改善 微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触。首先,该 方法通过离子注入技术,将钨与钛作为掺杂元 素,注入区域为氧化钒薄膜中与钛电极接触的区 域。其次,注入元素选择钨与钛可以有效降低氧 化钒接触区域的电阻,获得优异的金半接触,从 而降低氧化钒本身的1/f噪声,有助于获得低噪 声器件;此外通过掺杂钨元素还可以提高氧化钒 薄膜TCR,提升器件信噪比。第三,离子注入后的 热处理方式为脉冲电流快速退火,可以实现晶格 A 修复,同时快速退火可以避免升温过程中的失 6 氧,从而减小氧空位,使氧化钒电阻不会降低太 4 5 2 多。 7 7

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