半导体器件的制造方法和电子装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114314499 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011057167.3 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 中芯集成电路（宁波）有限公司 地址 315800 浙江省宁波市北仑区小港街 道安居路335号3幢、4幢、5幢 (72)发明人 桂珞　丁敬秀　 (74)专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31327 代理人 高静 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图3页 (54)发明名称 半导体器件的制造方法和电子装置 (57)摘要 一种半导体器件的制造方法和电子装置，制 造方法包括：形成MEMS器件和第一牺牲层，MEMS 器件包括固定结构，固定结构包括基底和环绕基 底的围壁结构，MEMS器件还包括悬空设置于基底 上的可动结构、以及位于可动结构和固定结构之 间的第二牺牲层，第一牺牲层用于支撑可动结构 与固定结构分离，且去除第二牺牲层的工艺对第 二牺牲层的去除速率大于对第一牺牲层的去除 速率；去除第二牺牲层；去除第二牺牲层后，去除 第一牺牲层。本发明通过形成第一牺牲层，在去 除第二牺牲层的过程中，第一牺牲层用于支撑可 动结构与固定结构分离，从而降低所述可动结构 A 与固定结构之间发生