半导体装置及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112429697 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202010862379.2 B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2020.08.25 (30)优先权数据 62/891,489 2019.08.26 US 16/907,607 2020.06.22 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 陈相甫　洪嘉明　邱怡瑄　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 顾伯兴 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书27页 附图23页 (54)发明名称 半导体装置及其形成方法 (57)摘要 本公开的各种实施例涉及一种半导体装置 及其形成方法。所述半导体装置包括设置在半导 体衬底之上的内连结构。介电结构设置在所述内 连结构之上。第一空腔及第二空腔设置在所述介 电结构中。微机电系统衬底设置在所述介电结构 之上，其中所述微机电系统衬底包括上覆在所述 第一空腔上的第一可移动膜片及上覆在所述第 二空腔上的第二可移动膜片。第一功能结构上覆 在所述第一可移动膜片上，其中所述第一功能结 构包含具有第