自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115784143 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211688041.5 (22)申请日 2022.12.27 (71)申请人 安徽芯动联科微系统股份有限公司 地址 233042 安徽省蚌埠市财院路10号 申请人 北京芯动致远微电子技术有限公司 (72)发明人 华亚平　苏佳乐　 (74)专利代理机构 蚌埠鼎力专利商标事务所有 限公司 34102 专利代理师 王琪　颜晓玲 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图9页 (54)发明名称 自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及 其制造方法 (57)摘要 本发明公开一种自对准多晶硅单晶硅混合 MEMS垂直电极及其制造方法，通过在单晶硅圆片 上刻蚀多个深槽、氧化单晶硅圆片、淀积多晶硅 的方法，形成多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极， 单晶硅晶格完美、物理特性好，可用于制造可动 电极和功能结构；多晶硅固定在单晶硅固定柱上 作为固定电极。单晶硅可动电极和多晶硅固定电 极通过一次光刻/刻蚀的图形决定，实现自对准， 电极间水平方向的电极间距由二氧化硅层的厚 度决定，本发明的多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电 极具有尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性 A 好，加工工艺简单的优点，而且由于不需要用到 3 价