一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114291784 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202110814293.7 (22)申请日 2021.07.19 (71)申请人 中北大学南通智能光机电研究院 地址 226000 江苏省南通市中央创新区紫 琅科技城W-9号楼 申请人 中北大学 (72)发明人 王俊强　张世义　吴倩楠　余建刚　 李孟委　 (74)专利代理机构 西安嘉思特知识产权代理事 务所(普通合伙) 61230 代理人 王海栋 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层 的制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS 开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶 圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料 包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上 形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始 锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形 成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平 齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与 目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的 悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲 层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整 A 度，