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发明

传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法

2023-06-02 12:03:25 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202011378399.9
  • 公开（公告）日：2025-06-17
  • 公开（公告）号：CN112429698A
  • 申请人：美新半导体（天津）有限公司
摘要：本发明提供一种传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法，传感器芯片为集成热式加速度和红外传感器的单芯片，其包括第一晶圆部，第一晶圆部包括：第一衬底；第一腔体，其设置于第一衬底中，第一腔体内密封有填充气体，填充气体为对特定红外光谱不吸收或者吸收较少的气体；悬桥式传感器结构，其设置于第一衬底的正面且与第一腔体相对，其可切换为加速度检测或红外检测模式；信号处理电路，其设置于第一衬底的正面，其用于对悬桥式传感器结构产生的传感信号进行处理。与现有技术相比，本发明共享相同的传感器结构，可以在加速度测量与红外温度探测之间切换，分别实现对加速度和温度的测量，从而提升集成度，降低芯片占用面积和使用成本。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112429698 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011378399.9 G01P 15/08 (2006.01) (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人 美新半导体（天津）有限公司 地址 300450 天津市滨海新区临港经济区 临港怡湾广场3-208-01号、3-208-02 号 (72)发明人 凌方舟　刘尧　蒋乐跃　储莉玲　 (74)专利代理机构 苏州简理知识产权代理有限 公司 32371 代理人 庞聪雅 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01J 5/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方 法 (57)摘要 本发明提供一种传感器芯片及悬桥式传感 器结构的制造方法，传感器芯片为集成热式加速 度和红外传感器的单芯片，其包括第一晶圆部， 第一晶圆部包括：第一衬底；第一腔体，其设置于 第一衬底中，第一腔体内密封有填充气体，填充 气体为对特定红外光谱不吸收或者吸收较少的 气体；悬桥式传感器结构，其设置于第一衬底的 正面且与第一腔体相对，其可切换为加速度检测 或红外检测模式

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