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一种磁钢灭弧的高压直流继电器 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112542336A 申请号：CN202011342241.6一种磁钢灭弧的高压直流继电器
- 申请号：CN202011342241.6
- 公开号：CN112542336A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：厦门宏发电力电器有限公司
本发明公开了一种磁钢灭弧的高压直流继电器，包括两个分别用来提供电流流入、流出的静触头和一个动簧片，动簧片的两端分别与两个静触头相配合；在动簧片的两端分别配置有中间位置能够与触头配合位置正相对的磁钢部件；且磁钢部件的具有极性的一面朝向对应的触头配合位置；所述磁钢部件由两块磁钢通过叠置或嵌置或拼接方式组合而成，并使组合后的磁钢部件的中间位置至少出现其中一块磁钢的端部。本发明既能够增加磁钢部件的中间位置的磁场强度，以满足高压、大电流的灭弧需要，又能使得产品的制作成本不会大幅升高，同时，还能够根据灭弧需要，灵活地配置灭弧方案。- 发布时间：2023-06-02 13:21:56
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压粉成形体及其制造方法、压粉磁芯的制造方法 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112542284A 申请号：CN202010650830.4压粉成形体及其制造方法、压粉磁芯的制造方法
- 申请号：CN202010650830.4
- 公开号：CN112542284A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：株式会社田村制作所
本发明提供一种可提高软磁性粉末间的粘合力且抑制压粉成形体产生缺损或裂纹的压粉成形体及压粉成形体的制造方法、压粉磁芯的制造方法。所述压粉成形体包括：软磁性粉末；绝缘被膜，覆盖软磁性粉末的粒子表面；以及保形被膜，被覆绝缘被膜的表面且包含丙烯酸树脂。丙烯酸树脂的玻璃化转变点为45度以下。- 发布时间：2023-06-02 13:20:46
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开关操作线圈的多额定电压控制电路和控制装置 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112532075A 申请号：CN202011494010.7开关操作线圈的多额定电压控制电路和控制装置
- 申请号：CN202011494010.7
- 公开号：CN112532075A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：佩内特（厦门）智能电气有限公司
本发明公开了一种开关操作线圈的多额定电压控制电路和控制装置，其中开关操作线圈的多额定电压控制电路包括：整流滤波单元，用于对输入电压进行整流滤波处理，以输出直流电压；主控制单元，用于通过自适应检测输入电压以判断输入电压的电压状态，并输出对应的控制信号；DC‑DC降压单元，对直流电压进行降压处理；开关切换单元，用于控制直流电压直接给开关操作线圈供电或者直流电压通过DC‑DC降压单元进行降压处理后再给开关操作线圈供电，从而拓宽了开关操作线圈的额定电压范围，使一种额定电压线圈适用于其他多种额定电压，进而减少了开关的库存及运维成本。- 发布时间：2023-06-02 13:17:34
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半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112530892A 申请号：CN202010139145.5半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法
- 申请号：CN202010139145.5
- 公开号：CN112530892A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种包括集成电路管芯及多个导电凸块的半导体结构。集成电路管芯包括多个凸块接垫。多个导电凸块设置在多个凸块接垫上。多个导电凸块中的每一者包括设置在多个凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在第一柱部分上的第二柱部分。第二柱部分经由第一柱部分电连接到多个凸块接垫中的一者，其中第一柱部分的第一宽度大于第二柱部分的第二宽度。也提供一种包括上述半导体结构的封装结构。- 发布时间：2023-06-02 13:11:03
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半导体装置制造中的移位控制方法 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112530815A 申请号：CN201911394504.5半导体装置制造中的移位控制方法
- 申请号：CN201911394504.5
- 公开号：CN112530815A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
一种在半导体装置制造中的移位控制方法包括至少以下步骤。确定半导体管芯的第一目标与所述半导体管芯的第二目标的叠对偏移，其中所述第二目标设置在所述第一目标上。将所述半导体管芯放置在载体之上，其中放置所述半导体管芯包括反馈所述叠对偏移以得到对所述半导体管芯的位置控制。对所述半导体管芯进行后处理以形成半导体装置。还提供其他在半导体装置制造中的移位控制方法。- 发布时间：2023-06-02 13:10:23
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一种电缆枪 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112509754A 申请号：CN202011521235.7一种电缆枪
- 申请号：CN202011521235.7
- 公开号：CN112509754A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：青海大学
本发明公开了一种电缆枪，属于电缆喷涂技术领域。该电缆枪包括：枪体，内部设有第一管道，喷枪头部设有喷嘴，喷嘴与第一管道连通；弧形分流装置，包括弧形板和多个喷头，所述弧形板的端部和枪体头部固定连接连接；弧形板内沿弧面沿弧度方向设有第二管道，第二管道与第一管道连通；第二管道与多个喷头连通，多个喷头设置在弧形板的内弧面上；回收装置，包括导管和蓄液壶，导管的一端和沿弧形板底部的厚度方向设有的通孔连通，导管的一端另一端与蓄液壶连通，蓄液壶固定在枪体的底部。避免了旋转电缆或者旋转喷枪的问题和液体涂料浪费的问题。- 发布时间：2023-06-02 13:08:09
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一种正反转驱动模式的同轴结构中置电机 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112510915A 申请号：CN202011516172.6一种正反转驱动模式的同轴结构中置电机
- 申请号：CN202011516172.6
- 公开号：CN112510915A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：浙江绿源电动车有限公司
本发明公开了一种正反转驱动模式的同轴结构中置电机，包括箱体、左边盖、右边盖、电机轴、正反转驱动组件、行星减速机构、双离合系统，箱体上设有隔板，隔板将容纳腔分割形成第一腔室、第二腔室，正反转驱动组件位于第一腔室内，行星减速机构、双离合系统位于第二腔室内，行星减速机构的一侧固定在隔板上，双离合系统与左边盖配合，行星减速机构与双离合系统拆卸式连接，行星减速机构、双离合系统环套于电机轴上并与正反转驱动组件同轴设置。本发明通过对正反转驱动组件正反转的控制，配合双离合系统和行星减速机构的传动连接，避免了双离合系统因转速差引起的碰撞冲击，提高电机的输出使用效率，提升客户骑行体验的舒适性能。- 发布时间：2023-06-02 13:08:03
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一种携带DGS的毫米波一分三波导功分器 公开日期：2025-04-04 公开号：CN116190961A 申请号：CN202310170530.X一种携带DGS的毫米波一分三波导功分器
- 申请号：CN202310170530.X
- 公开号：CN116190961A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：西安交通大学
本发明公开了一种毫米波一分三波导功分器，携带DGS的功率分配比为1：1的等功分器，所述等功分器的输出端分别连接携带DGS的功率分配比为2：1的不等功分器，两个不等功分器的相邻输出端分别连接合路器，合路器的输出端为其中一个功分输出端口，两个不等功分器的另外两个输出端分别连接具有相位补偿作用的H面90°弯波导，两个H面90°弯波导的输出端为另外两个功分输出端口，从而形成毫米波波段一分三波导功分器。所述功分器和合路器均采用多阶阶梯阻抗变换技术进行设计，可实现带宽较宽。本发明添加的DGS结构在起到抑制带外谐波作用的同时，使3D打印加工后喷镀金属能够更均匀。- 发布时间：2023-06-02 12:55:24
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一种用户鉴权方法、UDM、消息转发设备及装置 公开日期：2025-04-04 公开号：CN116193433A 申请号：CN202111425038.X一种用户鉴权方法、UDM、消息转发设备及装置
- 申请号：CN202111425038.X
- 公开号：CN116193433A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：大唐移动通信设备有限公司
本发明实施例提供了一种用户鉴权方法、UDM、消息转发设备及装置，涉及网络技术领域，应用于UDM，上述方法包括：在接收到消息转发设备发送的鉴权消息后，基于鉴权消息中携带的待鉴权的用户设备的SUPI，查找用户设备对应的SQN、根密钥K以及预设的AMF；对查找到的SQN进行更新；基于更新后的SQN、随机数、根密钥K、AMF，计算用于对用户设备进行用户鉴权的基本鉴权信息；基于基本鉴权信息，采用鉴权消息指示的用户鉴权方式计算鉴权参数；向消息转发设备发送鉴权参数，以使得消息转发设备基于鉴权参数继续完成用户鉴权过程。应用本发明实施例提供的方案可以降低用户鉴权过程的复杂度。- 发布时间：2023-06-02 12:45:05
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用于重分配层工艺的替代集成 公开日期：2025-04-04 公开号：CN112514050A 申请号：CN201980049818.3用于重分配层工艺的替代集成
- 申请号：CN201980049818.3
- 公开号：CN112514050A
- 公开日期：2025-04-04
- 申请人：朗姆研究公司
在一个示例中，描述了一种用于再分布层(RDL)工艺的方法。提供衬底。在衬底的上面沉积介电层。使介电层图案化。将阻挡层和铜籽晶层沉积在介电层的上面。将光致抗蚀剂层施加在阻挡层和铜籽晶层的上面。使光致抗蚀剂层图案化以对应于介电层图案。铜电沉积在由光致抗蚀剂层暴露的图案化区域中。去除光致抗蚀剂层。蚀刻铜和籽晶阻挡层。- 发布时间：2023-06-02 12:38:46
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