光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112445059 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 201910838032.1 (22)申请日 2019.09.05 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 王健　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 唐嘉 (51)Int.Cl. G03F 1/36(2012.01) G03F 7/20(2006.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法 (57)摘要 一种光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化 方法，其中，光学邻近修正方法包括：分别对第一 初始图形中的第一子图形和第二子图形设置第 一容忍度和第二容忍度，且第一容忍度小于第二 容忍度；对第一初始图形进行光学邻近修正，修 正过程中，若第一边缘放置误差小于等于第一容 忍度，且第二边缘放置误差小于等于第二容忍 度，则光学邻近修正完成，获得第一修正图形。本 发明提供的光学邻近修正方法可以提高修正精 度和修正效率。 A 9 5 0 5 4 4 2 1 1 N