用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113697766 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110545660.8 (22)申请日 2021.05.19 (30)优先权数据 102020000011755 2020.05.20 IT 17/320,993 2021.05.14 US (71)申请人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 (72)发明人 G ·阿勒加托　L ·科索　 I ·格尔米　C ·瓦尔扎希纳　 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 董莘 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图17页 (54)发明名称 用于制造微机电设备的工艺和MEMS设备 (57)摘要 本公开的实施例涉及用于制造微机电设备 的工艺和MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工 艺包括在衬底上形成第一厚度的第一结构层。第 一沟槽通过所述第一结构层形成，并且通过第一 开口隔开的掩模区域在所述第一结构层上被形 成。第二厚度的第二结构层在所述第一开口处与 所述第一结构层直接接触的所述第一结构层上 被形成，并且第二结构层与所述第一结构层一起 形成第三厚度的厚结构区域，第三厚度等于所述 第一厚度和所述第二厚度的所述总和。多个第二 沟槽通过所述第二结