半导体器件及其制作方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114684772 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011636664.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 中芯集成电路（宁波）有限公司 地址 315800 浙江省宁波市北仑区小港街 道安居路335号3幢、4幢、5幢 (72)发明人 王金丽　向阳辉　刘孟彬　 (74)专利代理机构 北京思创大成知识产权代理 有限公司 11614 专利代理师 刘亭 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 半导体器件及其制作方法 (57)摘要 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法， 其中，半导体器件，包括：衬底，衬底包括功能区； 设置于衬底上的阻挡层，阻挡层与衬底围成第一 空腔和第二空腔，第一空腔暴露至少部分功能 区，第二空腔位于第一空腔外围，阻挡层设有连 通第一空腔和第二空腔的释放通道；阻挡层上开 设有释放孔，释放孔位于第二空腔范围内，且释 放孔与第二空腔连通。本发明通过在第一空腔外 围形成第二空腔，并通过释放通道连通第一空腔 和第二空腔，从而便于通过释放孔去除形成第二 空腔和第一空腔的释放层材料，从而形成暴露至 少部分功能区的第一空腔，另外，将释放孔设置 A 于第二空腔上的阻挡层上，以避免形成的保护层 2 材料落入第一空腔内，进而确保第一空腔的洁净 7 7