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发明

一种传感器的形貌控制方法及其应用2025

2023-12-08 07:32:56 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311110766.0
  • 公开（公告）日：2025-04-29
  • 公开（公告）号：CN117163918A
  • 申请人：上海矽睿科技股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种传感器的形貌控制方法及其应用。该方法包括：于第一硅片上进行浅槽刻蚀和深槽刻蚀，第一硅片上形成上方有开口、内部有A立柱和B立柱的腔体结构；A立柱的高度小于B立柱；将第一硅片与第二硅片通过氧化层进行键合，将第二硅片减薄；深硅刻蚀第二硅片形成可动齿和气体引入开口，可动齿的间隙暴露位于B立柱的上表面的氧化层，气体引入开口位于A立柱远离B立柱的一侧；通过可动齿的间隙和气体引入开口通入刻蚀气体刻蚀位B立柱的上表面的氧化层以释放可动齿。该方法能避免可动结构侧壁受损伤，还能克服键合3D结构氧化层残留问题，确保器件的性能可靠；改善了器件抗冲击性能，可靠性提升。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117163918 A (43)申请公布日 2023.12.05 (21)申请号 202311110766.0 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人 上海矽睿科技股份有限公司 地址 200050 上海市长宁区定西路1328号3 楼307室 (72)发明人 徐伟　颜培力　张斌　 肖勇　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 王焕 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) G01C 25/00 (2006.01) G01C 21/16 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种传感器的形貌控制方法及其应用 (57)摘要 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种 传感器的形貌控制方法及其应用。该方法包括： 于第一硅片上进行浅槽刻蚀和深槽刻蚀，第一硅 片上形成上方有开口、内部有A立柱和B立柱的腔 体结构；A立柱的高度小于B立柱；将第一硅片与 第二硅片通过氧化层进行键合，将第二硅片减 薄；深硅刻蚀第二硅片形成可动齿和气体引入开 口，可动齿的间隙暴露位于B立柱的上表面的氧 化层，气体引入开口位于A立柱远离B立柱的一 侧；通过可动齿的间隙和气体引入开口通入刻蚀 气体刻蚀位B立柱的上表面的氧化层以释放可动 齿。该方法能避免可动结构侧壁受损伤，还能克

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