通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111115551 A (43)申请公布日 2020.05.08 (21)申请号 201911241743.7 (22)申请日 2019.12.06 (71)申请人 上海航天控制技术研究所 地址 201109 上海市闵行区中春路1555号 (72)发明人 段杰　成宇翔　赵万良　李绍良　 张嘉轩　 (74)专利代理机构 上海元好知识产权代理有限 公司 31323 代理人 贾慧琴　周乃鑫 (51)Int.Cl. B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性 器件 (57)摘要 本发明公开了一种通过过渡层结构降低封 装应力的MEMS惯性器件，所述的MEMS惯性器件包 含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片、以及设于 所述封装管壳的底板与所述的芯片之间的过渡 层；所述的过渡层包含若干片层，所述的片层包 含：贴片胶层和应力缓冲层；所述的应力缓冲层 的材质与所述的封装管壳或所述的芯片的材质 相同。本发明通过对过渡层进行结构设计，在过 渡层中设计应力缓冲区，应力缓冲层的材质与封 装管壳或芯片的材质相同，有利于降低封装应 力。 A 1 5 5 5 1 1 1 1 1 N