一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112624035 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011612118.1 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 苏州科阳半导体有限公司 地址 215143 江苏省苏州市苏州相城经济 技术开发区漕湖产业园方桥路568号 (72)发明人 吉萍　李永智　吕军　金科　 赖芳奇　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 胡彬 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级 封装结构 (57)摘要 本发明公开了一种MEMS器件的晶圆级封装 方法及晶圆级封装结构，属于MEMS器件的封装技 术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装方法包括， 硅本体的端面上设有氧化硅层，在氧化硅层的端 面上设置第一金属层，第一金属层设置在载体 上；沿第二预设区的外周去除硅本体及氧化硅层 的材料，使第一金属层背离载体的端面露出；在 第三预设区设置第二金属层，第二金属层与第一 金属层接触连接；MEMS晶圆与第二金属层粘接； 去除载体，ASIC芯片与第一金属层粘接，在第一