TSSG法生长大尺寸晶体的设备和方法2025

专利内容

本发明公开了一种TSSG法生长大尺寸晶体的设备和方法，本发明中的设备中包括一套层坩埚组件，其包括一外坩埚和设于所述外坩埚内的内坩埚，所述外坩埚固定于坩埚平台的表面，所述外坩埚的底部设有一凸柱，所述凸柱贯穿所述内坩埚的底部并伸入内坩埚内；一加热件，所述加热件环绕在所述套层坩埚组件的外部，所述加热件的底部与所述保温层固定连接，所述加热件的顶部与所述内坩埚固定连接。本发明通过加热件在坩埚上产生热源，同时外坩埚可相对于内坩埚转动，从而能够实现控制晶体生长过程中促进熔体对流，保证溶质传输的效果，实现高厚度、大口径晶体的生长。C30B15/00(2006.01);C30B9/12(2006.01);C30B29/22(2006.01);C30B29/36(2006.01)