一种中心异型氟化物光学晶体的制备装置及方法
- 申请专利号:CN202111192625.9
- 公开(公告)日:2025-06-06
- 公开(公告)号:CN113774483A
- 申请人:上海德硅凯氟光电科技有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113774483 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202111192625.9 (22)申请日 2021.10.13 (71)申请人 上海德硅凯氟光电科技有限公司 地址 201802 上海市嘉定区真南路4268号2 幢J16043室 (72)发明人 姜大朋 苏良碧 贾健 (74)专利代理机构 上海骁象知识产权代理有限 公司 31315 代理人 赵峰 (51)Int.Cl. C30B 29/12 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种中心异型氟化物光学晶体的制备装置 及方法 (57)摘要 一种中心异型氟化物光学晶体的制备装置, 包括石墨坩埚,石墨坩埚内的中心位置设置有石 墨异形件,石墨异形件的长度方向平行于石墨坩 埚的高度方向,石墨异形件的一端设置有第一连 接结构,石墨坩埚内设置有第二连接结构,第一 连接结构与第二连接结构可拆卸连接。本发明利 用氟化物光学晶体材料与石墨材料不浸润及热 膨胀系数相对较大的特性,本发明针对有复杂几 何结构的氟化物光学晶体的需求,根据氟化物晶 体的生长特性,提出一种异形晶体生长方法,可 实现异形几何结构氟化物晶体一次成型,可直接 A 生长中心带有异形几何结构氟化物光学晶体,避 3 免了后续繁琐的晶体加工过程,大幅降低晶体加 8 4 4 工难度,提高晶体利用
最新专利
- 锭生长装置公开日期:2025-07-15公开号:CN114277438A申请号:CN202011408528.4锭生长装置
- 发布时间:2023-05-05 09:39:260
- 申请号:CN202011408528.4
- 公开号:CN114277438A
- 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法公开日期:2025-07-15公开号:CN113957532A申请号:CN202110826438.5具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法
- 发布时间:2023-04-23 09:24:190
- 申请号:CN202110826438.5
- 公开号:CN113957532A
- 一种可伸缩抗弯曲波纹管结构公开日期:2025-07-11公开号:CN113832536A申请号:CN202111223750.1一种可伸缩抗弯曲波纹管结构
- 发布时间:2023-07-07 07:05:290
- 申请号:CN202111223750.1
- 公开号:CN113832536A
- 一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法公开日期:2025-07-11公开号:CN116377576A申请号:CN202310377259.7一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法
- 发布时间:2023-07-06 10:33:200
- 申请号:CN202310377259.7
- 公开号:CN116377576A
- 一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法公开日期:2025-07-08公开号:CN117779204A申请号:CN202311833546.0一种Cu1234超导体多晶块体材料临界电流密度提升的方法
- 发布时间:2024-03-31 07:42:140
- 申请号:CN202311833546.0
- 公开号:CN117779204A
- 一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件公开日期:2025-07-04公开号:CN116695239A申请号:CN202310405617.0一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件
- 发布时间:2023-09-07 07:18:580
- 申请号:CN202310405617.0
- 公开号:CN116695239A