发明

基座支撑结构和外延生长装置

2023-06-07 23:07:48 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211615290.1
  • 公开(公告)日:2025-06-03
  • 公开(公告)号:CN115787079A
  • 申请人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要:本发明涉及一种基座支撑结构,用于支撑外延生长装置中的基座,所述基座支撑结构包括主支撑轴,和由所述主支撑轴向外延伸的多个支撑臂,所述支撑臂上具有图案化的镂空结构。本发明还涉及一种外延生长装置。通过所述镂空结构的设置,减小基座被所述支撑臂遮挡的区域的面积,提高了基座背面的受热均匀性,改善了晶圆的厚度与电阻率均一性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787079 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211615290.1 (22)申请日 2022.12.15 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司 (72)发明人 闫闯 俎世琦 张海博  (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 丁文蕴 (51)Int.Cl. C30B 25/12 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 基座支撑结构和外延生长装置 (57)摘要 本发明涉及一种基座支撑结构,用于支撑外 延生长装置中的基座,所述基座支撑结构包括主 支撑轴,和由所述主支撑轴向外延伸的多个支撑 臂,所述支撑臂上具有图案化的镂空结构。本发 明还涉及一种外延生长装置。通过所述镂空结构 的设置,减小基座被所述支撑臂遮挡的区域的面 积,提高了基座背面的受热均匀性,改善了晶圆 的厚度与电阻率均一性。 A 9 7 0 7 8 7 5 1 1 N C CN 115787079 A 权 利 要 求 书

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