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发明

晶体生长装置和确定引晶埚位的方法

2023-06-07 23:32:06 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211612860.1
  • 公开（公告）日：2025-06-06
  • 公开（公告）号：CN115807259A
  • 申请人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司|||西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本发明涉及一种晶体生长装置，包括：炉体；坩埚，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于坩埚的外围，以对坩埚进行加热；保温层，设置于加热器结构的外围；导流筒，呈桶状并沿竖直方向设置在炉体内的硅熔液的上方；导流筒升降结构，设置于炉体的顶部，用于控制导流筒的升降，并使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方向上始终具有间隙。本发明还涉及一种确定引晶埚位的方法。通过导流筒升降结构控制导流筒的升降，并使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方向上始终具有间隙，相对于传统技术中，导流筒支撑于保温层顶端，解决保温层形变造成的导流筒的位置发生变化的问题，保证液面位置和导流筒之间的相对位置关系的稳定。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115807259 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202211612860.1 (22)申请日 2022.12.15 (71)申请人 西安奕斯伟材料科技有限公司 地址 710000 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司 (72)发明人 杨松　张鹏举　余崇江　 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 张敬强 (51)Int.Cl. C30B 15/00 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) C30B 15/22 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 晶体生长装置和确定引晶埚位的方法 (57)摘要 本发明涉及一种晶体生长装置，包括：炉体； 坩埚，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于坩埚 的外围，以对坩埚进行加热；保温层，设置于加热 器结构的外围；导流筒，呈桶状并沿竖直方向设 置在炉体内的硅熔液的上方；导流筒升降结构， 设置于炉体的顶部，用于控制导流筒的升降，并 使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方向上 始终具有间隙。本发明还涉及一种确定引晶埚位 的方法。通过导流筒升降结构控制导流筒的升 降，并使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方 向上始终具有间隙

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