氧化镓结晶的制法
- 申请专利号:CN202080048364.0
- 公开(公告)日:2025-06-03
- 公开(公告)号:CN114585776A
- 申请人:日本碍子株式会社
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114585776 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202080048364.0 (74)专利代理机构 北京旭知行专利代理事务所 (普通合伙) 11432 (22)申请日 2020.10.08 专利代理师 王轶 郑雪娜 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-200475 2019.11.05 JP C30B 29/16 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 7/10 (2006.01) 2021.12.30 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/038172 2020.10.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/090635 JA 2021.05.14 (71)申请人 日本碍子株式会社 地址 日本国爱知县 (72)发明人 吉川润 前田美穗
最新专利
- 一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件公开日期:2025-07-04公开号:CN116695239A申请号:CN202310405617.0一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件
- 发布时间:2023-09-07 07:18:580
- 申请号:CN202310405617.0
- 公开号:CN116695239A
- 用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置公开日期:2025-07-04公开号:CN114808142A申请号:CN202210549425.2用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置
- 发布时间:2023-05-18 12:40:350
- 申请号:CN202210549425.2
- 公开号:CN114808142A
- 一种超薄二维过渡金属氮化物单晶结构及其制备方法与应用公开日期:2025-07-04公开号:CN115726041A申请号:CN202110981014.6一种超薄二维过渡金属氮化物单晶结构及其制备方法与应用
- 发布时间:2023-06-10 07:19:150
- 申请号:CN202110981014.6
- 公开号:CN115726041A
- 一种晶棒防坠落装置及单晶炉公开日期:2025-07-01公开号:CN113337882A申请号:CN202110627854.2一种晶棒防坠落装置及单晶炉
- 发布时间:2023-06-23 07:27:220
- 申请号:CN202110627854.2
- 公开号:CN113337882A
- 溶液法生长SiC单晶的方法公开日期:2025-07-01公开号:CN116121870A申请号:CN202211356676.5溶液法生长SiC单晶的方法
- 发布时间:2023-05-24 12:54:350
- 申请号:CN202211356676.5
- 公开号:CN116121870A
- 一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法公开日期:2025-07-01公开号:CN116024658A申请号:CN202211691933.0一种钨掺杂六方相五氧化二钽单晶薄膜及其制备方法
- 发布时间:2023-05-15 09:25:230
- 申请号:CN202211691933.0
- 公开号:CN116024658A