PCT发明

氧化镓结晶的制法

2023-05-12 11:50:20 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202080048364.0
  • 公开(公告)日:2025-06-03
  • 公开(公告)号:CN114585776A
  • 申请人:日本碍子株式会社
摘要:使含有Ga离子的水溶液处于温度400℃以上、压力22.1MPa以上的超临界状态,由此得到α-或β-Ga2O3结晶。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114585776 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202080048364.0 (74)专利代理机构 北京旭知行专利代理事务所 (普通合伙) 11432 (22)申请日 2020.10.08 专利代理师 王轶 郑雪娜 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-200475 2019.11.05 JP C30B 29/16 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 7/10 (2006.01) 2021.12.30 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/038172 2020.10.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/090635 JA 2021.05.14 (71)申请人 日本碍子株式会社 地址 日本国爱知县 (72)发明人 吉川润 前田美穗 

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