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发明

CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法

2023-05-20 10:55:22 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202210525272.8
  • 公开（公告）日：2025-04-22
  • 公开（公告）号：CN114890375A
  • 申请人：中北大学
摘要：本发明提供了一种CMOS‑MEMS集成声换能器及其制备方法。该传感器既能作为麦克风传感器又能作为超声换能器，其由下而上依次为基底层、交替设置的介质层及金属层、钝化层，第n层介质层上刻蚀有空腔，空腔顶部形成振膜及上电极、底部形成下电极。制备时，使用COMS工艺的后端（BEOL）层作为MEMS器件的结构层，COMS电子层在MEMS器件层下方集成，各金属层间通过钨塞互连，最后通过干法刻蚀在介质层上形成空腔。本发明传感器具有可靠性好、体积小、频带宽、灵敏度高、易于批量生产等特点，可以应用于医学、军事、工业、农业等众多领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114890375 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210525272.8 (22)申请日 2022.05.15 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 王任鑫　张文栋　李照东　张国军　 何常德　杨玉华　崔建功　 (74)专利代理机构 太原倍智知识产权代理事务 所(普通合伙) 14111 专利代理师 张宏 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) H04R 19/04 (2006.01) B06B 1/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种CMOS‑MEMS集成声换能器 及其制备方法。该传感器既能作为麦克风传感器 又能作为超声换能器，其由下而上依次为基底 层、交替设置的介质层及金属层、钝化层，第n层 介质层上刻蚀有空腔，空腔顶部形成振膜及上电 极、底部形成下电极。制备时，使用COMS工艺的后 端（BEOL）层作为MEMS器件的结构层，COMS电子层 在MEMS器件层下方集成，各金属层间通过钨塞互 连，最后通过干法刻蚀在介质层上形成空腔。本 发明传感器具有可靠性好、体积小、频带宽、灵敏 度高

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