发明

一种MEMS超薄悬浮膜释放方法

2023-05-18 13:01:16 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210373580.3
  • 公开(公告)日:2025-04-18
  • 公开(公告)号:CN114852952A
  • 申请人:中北大学
摘要:本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法,属于MEMS传感器技术领域,本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环,贴片环光刻胶形成台阶,使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触,避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈,属于密闭环,避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114852952 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210373580.3 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 关一浩 雷程 梁庭 熊继军  武学占  (74)专利代理机构 太原晋科知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 14110 专利代理师 杨斌华 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图5页 (54)发明名称 一种MEMS超薄悬浮膜释放方法 (57)摘要 本发明的目的在于提供一种适用于批量化、 低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法,属于 MEMS传感器技术领域,本发明在干法刻蚀过程中 通过引入贴片环,贴片环光刻胶形成台阶,使得 正面保护的陪片与膜结构不直接接触,避免了之 后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈, 属于密闭环,避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。 适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释 放。 A 2 5 9 2 5 8 4 1 1 N C CN 114852952 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种MEMS超薄悬浮膜释放方法,其特征

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