一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117342517 A (43)申请公布日 2024.01.05 (21)申请号 202311312023.1 (22)申请日 2023.10.11 (71)申请人 莱斯能特（苏州）科技有限公司 地址 215010 江苏省苏州市高新区嘉陵江 路198号6号楼1201 (72)发明人 王兴阳　薛维佳　韩传仁　 (74)专利代理机构 北京德崇智捷知识产权代理 有限公司 11467 专利代理师 房婉琼 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01F 1/684 (2006.01) G01F 1/692 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备 方法 (57)摘要 本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉 及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方 法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触 孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵 向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最 上层氮化硅层中间部位金属为发热电阻；本发明 将测温电阻的结构设置为纵向垂直延伸的多层 结构；通过采用多层结构可以有效缩小膜区面 积，从而减小传感器的尺寸。此外，多层结构可以 提供更好的机械稳定性和结构强度，使