发明

一种掺铒钇铝石榴石晶体及光学元件的生产方法2025

2024-06-01 08:07:05 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202410459886.X
  • 公开(公告)日:2025-03-21
  • 公开(公告)号:CN118087043A
  • 申请人:成都沃达惠康科技股份有限公司
摘要:本发明公开了一种用于光学元件的掺铒钇铝石榴石晶体的生产方法及一种光学元件的制备方法,属于光学元件的制备,包括以下步骤:S1:原料处理,包括以下步骤:S2:形成掺铒钇铝石榴石晶体,包括以下步骤:S21:将S1处理后的料装入钼坩埚,装入真空电阻加热炉;S22:装炉后封闭炉门,使用真空泵扩散泵将炉内空气抽出,使其达到真空;S23:将炉内充入氩气和二氧化碳;S24:启动电源进行加热至1200‑1800℃;S25:控制籽晶位置至溶液表面;S26:开始拉晶,拉速1‑10 mm/h,转速50‑200rpm;S27:等到晶体放肩完成,进行界面翻转,转速30‑80r/min,拉速1‑3mm/出晶。本发明生产成本较低,生产周期较短,晶体利用率较高,达90%,电光斜率提高了20%。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118087043 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410459886.X (22)申请日 2024.04.17 (71)申请人 成都沃达惠康科技股份有限公司 地址 610000 四川省成都市武侯新城管委 会武兴五路433号2栋2单元9层918号 (72)发明人 刘和平 郑然 杨淦  (74)专利代理机构 成都蓉创智汇知识产权代理 有限公司 51276 专利代理师 谭新民 (51)Int.Cl. C30B 29/28 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 (54)发明名称 一种掺铒钇铝石榴石晶体及光学元件的生 产方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于光学元件的掺铒钇 铝石榴石晶体的生产方法及一种光学元件的制 备方法,属于光学元件的制备,包括以下步骤: S1 :原料处理,包括以下步骤:S2:形成掺铒钇铝 石榴石晶体,包括以下步骤:S21 :将S1处理后的 料装入钼坩埚,装入真空电阻加热炉;S22:装炉 后封闭炉门,使用真空泵扩散泵将炉内空气抽 出,使其达到真空;S23:将炉内充入氩气和二氧 化碳;S24 :启动电源进行加热至1200‑1800℃; S25:控制籽晶位置至溶液表面;S26:开始拉晶, 拉速1‑10 mm/h ,转速50‑200rpm;S27:等到晶体 A

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