一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113122927 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110570620.9 (22)申请日 2021.05.25 (71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南 路932号 (72)发明人 周继承　曾世魁　 (74)专利代理机构 北京东方盛凡知识产权代理 事务所(普通合伙) 11562 代理人 张换君 (51)Int.Cl. C30B 31/10 (2006.01) C30B 31/16 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉 (57)摘要 本发明属于半导体扩散工艺设备领域，公开 一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉 门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开 口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体 铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管 至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔 热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间 增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀 性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。 A 7 2 9 2 2 1 3 1 1 N C CN 113122927 A 权　利　要　求　书