一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117737859 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311765497.1 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 武汉理工大学 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路 122号 申请人 广东汇成真空科技股份有限公司 (72)发明人 章嵩　李家平　李宝文　涂溶　 张联盟　李志荣　李迎春　 (74)专利代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限 公司 42102 专利代理师 官群 (51)Int.Cl. C30B 29/46 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi O Se单晶 2 2 及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维 Bi O Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸 2 2 应变的二维Bi O Se单晶具有正方形纳米片结 2 2 构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉 伸应变为2.8 ～8％。本发明提供的二维Bi O Se 2 2 单晶双轴拉伸应变高达2.8 ～8％，样品出现理论 研究中预测的铁电性，在铁