用于双层结构生长衬底外延生长的样品托

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288691 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310291640.1 (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人 广东天域半导体股份有限公司 地址 523000 广东省东莞市松山湖北部工 业城工业北一路5号二楼办公楼 (72)发明人 丁雄傑　刘薇　李焕婷　张红　 周泽成　邱树杰　李浩然　李锡光　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 龙莉苹 (51)Int.Cl. C30B 25/12 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) G01D 21/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 用于双层结构生长衬底外延生长的样品托 (57)摘要 本发明公开了一种用于双层结构生长衬底 外延生长的样品托，包括托盘本体和掩膜板，托 盘本体上开设有设有容纳生长衬底的主容置槽 和容纳参考衬底的副容置槽，掩膜板沿一随托盘 本体的旋转离心方向设置的滑动轨道滑动安装 于托盘本体上，副容置槽位于沿滑动轨道由后向 前排布的第一位置和第二位置，掩膜板沿滑动轨 道在滑动后位和滑动前位之间滑动以切换遮盖 第一位置处的副容置槽和第二位置处的副容置 槽，掩膜板和滑动轨道之间的接触表面光滑，以 使掩膜板在托盘本体减速时可在惯性作用下从 遮盖第一位置处的副容置槽切换至遮盖第