一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115710749 A (43)申请公布日 2023.02.24 (21)申请号 202211324028.1 (22)申请日 2022.10.27 (66)本国优先权数据 202210960194.4 2022.08.11 CN (71)申请人 南京大学 地址 210023 江苏省南京市栖霞区仙林大 道163号 (72)发明人 王欣然　李涛涛　沈昊亮　施毅　 (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 李倩 (51)Int.Cl. C30B 29/46 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备 方法及装置 (57)摘要 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单 晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高 活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反 应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体 源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属 硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长 速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装 置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒 定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延 腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔 室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过 A 渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长 9 和传输，提