硅锭连续生长器的吸排气装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114293244 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202011404191.X (22)申请日 2020.12.03 (30)优先权数据 10-2020-0129626 2020.10.07 KR (71)申请人 韩华思路信 地址 韩国首尔 (72)发明人 李泳敏　李京锡　全韩雄　 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 陈万青　李雪 (51)Int.Cl. C30B 15/00 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图10页 (54)发明名称 硅锭连续生长器的吸排气装置 (57)摘要 本发明公开硅锭连续生长器的吸排气装置。 本发明的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括： 腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域 的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于 使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于 向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真 空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持 真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的 第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物 和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进 行排气的第一排气口，可在上述腔室的第二区域 设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进 A 行排气的第二排气口。 4 4 2