发明

一种晶圆通孔结构的金属填充方法

2023-05-12 11:11:48 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310015648.5
  • 公开(公告)日:2025-04-01
  • 公开(公告)号:CN116081568A
  • 申请人:航科新世纪科技发展(深圳)有限公司
摘要:本发明公开了一种晶圆通孔结构的金属填充方法,包括如下步骤:在第一晶圆中制备通孔;在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层;将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起,使得所述导电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接;将第一晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属填充,使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充在通孔内;将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶剂中进行分离,去除通孔外部的电铸金属和导电层,获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。本发明提供的一种晶圆通孔结构的金属填充方法,不必采用复杂的第二晶圆键合工艺,能够形成稳定的底面支撑及导电层支撑结构,同时第一晶圆和第二晶圆易于分离,适用于任意尺寸和形状的通孔金属填充。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116081568 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310015648.5 (22)申请日 2023.01.06 (71)申请人 航科新世纪科技发展 (深圳)有限公 司 地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街 道海珠社区海德三道1688号航天科技 广场B座16B01 (72)发明人 许戎戎 李波  (74)专利代理机构 广东超越知识产权代理有限 公司 44975 专利代理师 陈惠珠 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种晶圆通孔结构的金属填充方法 (57)摘要 本发明公开了一种晶圆通孔结构的金属填 充方法,包括如下步骤:在第一晶圆中制备通孔; 在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层; 将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起,使得所述导 电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接;将第一 晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属 填充,使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充 在通孔内;将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶 剂中进行分离,去除通孔外部的电铸金属和导电 层,获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。本发明 提供的一种晶圆通孔结构的金属填充方法,不必 采

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