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单片集成电路及其制造方法2025

2023-12-08 07:14:29 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311138953.X
  • 公开(公告)日:2025-04-04
  • 公开(公告)号:CN117142426A
  • 申请人:深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要:本申请公开了一种单片集成电路及其制造方法。单片集成电路的制造方法包括,提供衬底;在所述衬底上形成谐振器;在所述衬底上形成电容;和/或在所述衬底上形成电感;在所述衬底上制造金属互连线,以将所述电容和/或所述电感与所述谐振器连接。本申请将谐振器与LC电路集成制作在同一芯片上,形成MEMS单片集成电路,形成多功能的集成器件,提升性能和集成度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117142426 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311138953.X (22)申请日 2023.09.04 (71)申请人 深圳市汇芯通信技术有限公司 地址 518037 广东省深圳市福田区华富街 道莲花一村社区皇岗路5001号深业上 城(南区)T2栋2701 (72)发明人 樊永辉 张汪根 许明伟 樊晓兵  (74)专利代理机构 北京博思佳知识产权代理有 限公司 11415 专利代理师 于欣 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图8页 (54)发明名称 单片集成电路及其制造方法 (57)摘要 本申请公开了一种单片集成电路及其制造 方法。单片集成电路的制造方法包括,提供衬底; 在所述衬底上形成谐振器;在所述衬底上形成电 容;和/或在所述衬底上形成电感;在所述衬底上 制造金属互连线,以将所述电容和/或所述电感 与所述谐振器连接。本申请将谐振器与LC电路集 成制作在同一芯片上,形成MEMS单片集成电路, 形成多功能的集成器件,提升性能和集成度。 A 6 2 4 2 4 1 7 1 1 N C CN 117142426 A 权 利 要 求 书 1/2页

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