一种微机电系统结构及其制作方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114148984 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202111512073.5 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人 美新半导体（天津）有限公司 地址 300450 天津市自贸试验区（空港经济 区）西三道158号金融中心4-501室 (72)发明人 郭亚　刘尧青　储莉玲　金羊华　 (74)专利代理机构 苏州简理知识产权代理有限 公司 32371 代理人 庞聪雅 (51)Int.Cl. B81B 3/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种微机电系统结构及其制作方法 (57)摘要 本发明提供一种微机电系统结构及其制作 方法，所述微机电系统结构包括：第一半导体圆 片，其设置有第一空腔、CMOS电路和防护层，第一 空腔设置于第一半导体圆片的正面，CMOS电路设 置于第一半导体圆片内且位于第一空腔的下方， 防护层位于第一空腔的底部且位于所述CMOS电 路的上方；第二半导体圆片，其为传感器的微机 电系统单元，其包括固定结构、可移动结构和沟 槽，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相 键合，第一空腔与可移动结构相对；第