原创力.专利
钌的半导体用处理液及其制造方法
- 申请专利号：CN202080068032.9
- 公开（公告）日：2025-02-28
- 公开（公告）号：CN114466951A
- 申请人：株式会社德山
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114466951 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202080068032.9 (72)发明人 佐藤伴光 吉川由树 下田享史 根岸贵幸 (22)申请日 2020.07.08 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 (30)优先权数据 11332 2019-176727 2019.09.27 JP 专利代理师 吕琳 朴秀玉 2019-193081 2019.10.23 JP 2019-211875 2019.11.22 JP (51)Int.Cl. 2020-045869 2020.03.16 JP C23F 1/40 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.03.28 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/026635 2020.07.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/059666 JA 20
最新专利
- 薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备公开日期：2025-04-18公开号：CN117448789A申请号：CN202311578564.9薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备
- 发布时间：2024-01-30 07:19:240
- 申请号：CN202311578564.9
- 公开号：CN117448789A
- 数字化零介入智能真空磁控溅射镀膜机及其作业方法公开日期：2025-04-18公开号：CN117026183A申请号：CN202310922250.X数字化零介入智能真空磁控溅射镀膜机及其作业方法
- 发布时间：2023-11-16 07:18:030
- 申请号：CN202310922250.X
- 公开号：CN117026183A
- 一种二氧化钒薄膜的制备方法公开日期：2025-04-18公开号：CN116875947A申请号：CN202310624159.X一种二氧化钒薄膜的制备方法
- 发布时间：2023-10-16 07:18:370
- 申请号：CN202310624159.X
- 公开号：CN116875947A
- 一种在高温合金基体表面制备γ/γ'相铂铝涂层的方法公开日期：2025-04-18公开号：CN116377435A申请号：CN202310226416.4一种在高温合金基体表面制备γ/γ'相铂铝涂层的方法
- 发布时间：2023-07-06 10:29:110
- 申请号：CN202310226416.4
- 公开号：CN116377435A
- 沉积机台公开日期：2025-04-18公开号：CN116265604A申请号：CN202111551777.3沉积机台
- 发布时间：2023-06-23 07:40:470
- 申请号：CN202111551777.3
- 公开号：CN116265604A
- 配备使用过的内部捕获塔的自我再生功能的反应副产物捕获装置公开日期：2025-04-18公开号：CN116262969A申请号：CN202210238025.X配备使用过的内部捕获塔的自我再生功能的反应副产物捕获装置
- 发布时间：2023-06-18 07:10:290
- 申请号：CN202210238025.X
- 公开号：CN116262969A
