薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117448789 A (43)申请公布日 2024.01.26 (21)申请号 202311578564.9 (22)申请日 2023.11.23 (71)申请人 拓荆科技(上海)有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区临港新片区鸿音路 1211号10幢304室 (72)发明人 王政　柴雪　李晶　田云龙　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 郭莲梅 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) C23C 16/509 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备 (57)摘要 本发明公开了一种薄膜沉积反应腔和薄膜 沉积设备，通过在加热盘承载区域的边缘部分设 置环形的凸起结构或环形的凹陷结构，这样可以 根据薄膜沉积过程中等离子体在晶圆中心部分 还是边缘部分的分布强度大来相应在加热盘承 载区域边缘部分设置凹陷结构或者凸起结构，以 此承载区域边缘部分至喷淋板间的距离，相应降 低或提高等离子体在承载区域边缘部分的分布 强度，从而改变晶圆边缘部分沉积薄膜的质量， 从而保证晶圆中心部分和边缘部分的薄膜质量 均匀性。 A