PCT发明

MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方法

2023-06-23 07:31:55 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202080011763.X
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN113365937A
  • 申请人:罗伯特·博世有限公司
摘要:本发明提供一种MEMS传感器,该MEMS传感器包括衬底、至少三个功能层,所述功能层上下相叠地并且彼此间隔开地与衬底连接,并且其中,至少三个功能层中的第一功能层以能够偏移的方式布置,其中,在第一功能层处布置有第一电极,该第一电极具有至少两个区域,其中,第一电极的第一区域与至少三个功能层中的第二功能层的第二电极形成第一电容,并且其中,第一电极的第二区域与第三功能层的第三电极的至少一个区域形成第二电容,并且其中,这样布置电极,使得在第一电容的电极的间距改变时,以相反的方式改变第二电容的电极的间距。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113365937 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202080011763.X (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2020.01.24 代理人 侯鸣慧 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 102019201226.4 2019.01.31 DE B81B 3/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.07.30 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2020/051792 2020.01.24 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/156956 DE 2020.08.06 (71)申请人 罗伯特 ·博世有限公司 地址 德国斯图加特 (72)发明人 C ·纳格尔  权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方 法 (57)摘要 本发明提供一种MEMS传感器,该

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