发明

一种多层MEMS结构及其制作方法与应用

2023-05-05 09:18:59 发布于四川 9
  • 申请专利号:CN202011002265.7
  • 公开(公告)日:2025-07-04
  • 公开(公告)号:CN114249294A
  • 申请人:上海新微技术研发中心有限公司
摘要:本发明提供一种多层MEMS结构及其制作方法与应用,该制作方法包括以下步骤:第一次覆膜及图形化步骤:在衬底上覆盖第一光敏干膜,图形化所述第一光敏干膜,得到第一空腔于所述第一光敏干膜中;第二次覆膜及图形化步骤:在所述第一光敏光膜上覆盖第二光敏干膜,图形化所述第二光敏干膜,得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。其中,若所需层数多于两层,可根据所需层数继续执行覆膜及图形化步骤至少一次。本发明使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构的制造,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构及其制作方法可应用于多种微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114249294 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011002265.7 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人 上海新微技术研发中心有限公司 地址 201800 上海市嘉定区城北路235号1 号楼 (72)发明人 吴炫烨 关一民  (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 代理人 刘星 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种多层MEMS结构及其制作方法与应用 (57)摘要 本发明提供一种多层MEMS结构及其制作方 法与应用,该制作方法包括以下步骤:第一次覆 膜及图形化步骤:在衬底上覆盖第一光敏干膜, 图形化所述第一光敏干膜,得到第一空腔于所述 第一光敏干膜中;第二次覆膜及图形化步骤:在 所述第一光敏光膜上覆盖第二光敏干膜,图形化 所述第二光敏干膜,得到第二空腔于所述第二光 敏干膜中。其中,若所需层数多于两层,可根据所 需层数继续执行覆膜及图形化步骤至少一次。本 发明使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构 的制造,各层结构更为平整,曝光更加均匀,可以 减小结构误差,从而提高多层MEMS结构制造的良 A 率。该多层MEMS结构及其制作方法可应用于多种 4 微结构,包括但不限于纳米孔测序芯片。 9 2

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