一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114655919 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011546984.5 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 无锡华润上华科技有限公司 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术 产业开发区新洲路8号 (72)发明人 徐海宁　陈腾飞　李召峰　 (74)专利代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 专利代理师 冯永贞 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 (57)摘要 本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法、 电子装置。所述制备方法包括：提供半导体衬底， 在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步 骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述 振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二 退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述 牺牲材料层，以形成空腔。所述方法通过多道退 火步骤结合分开调整各层的应力，达到目前淀积 条件调整方法无法达到的各层应力要求同时提 高工艺的稳定性和窗口，所述方法还可以将膜层 的形成条件一致化，提高炉管的产能利用率。 A 9 1 9 5 5 6 4 1 1 N C CN 114655919 A 权　利　要　求　书